Contribution a l’etude du systeme binaire Cr/Si implante (As)

BENKHERBACHE , Houria; MERABET , A.  Encadrant

Contribution a l’etude du systeme binaire Cr/Si implante (As)

dc.contributor.author	BENKHERBACHE , Houria
dc.contributor.author	MERABET , A. Encadrant
dc.date.accessioned	2026-10-11T12:54:03Z
dc.date.issued	2014
dc.description.abstract	In This work the solid –state reaction between a thin film of chromium and silicon has been studied using Rutherford backscattering spectroscopy, X-ray diffraction and the sheet resistance measurements. The thickness of 1000 chromium layer has been deposited by electronic bombardment on Si (100) substrates; part of them had previously been implanted with arsenic ions of 10+15 at/cm² doses and energy of 100 KeV. The samples were heat treated under rapid thermal annealing for various temperatures (450 to 600°C) for times intervals ranging from 15 to 60 s. The rapid thermal annealing leads to a reaction at the interface Cr/Si inducing the formation and the growth of the unique silicide CrSi2 but no other phase can be detected. For samples implanted with arsenic the saturation value of the sheet resistance is higher than for the non-implanted case.
dc.description.sponsorship	Dans ce travail, la réaction à l'état solide entre un film mince de chrome et de silicium a été étudiée en utilisant la spectroscopie de rétrodiffusion Rutherford, la diffraction des rayons X et des mesures de résistance carrée. Une épaisseur de 1000 nm de chrome a été déposée par bombardement électronique sur des substrats de Si (100), une partie des échantillons avaient été implantés avec des ions d'arsenic d’une dose de 10 +15 at / cm ² sous une l'énergie de 100 keV. Les échantillons ont été traités thermiquement par recuit thermique rapide sous diverses températures de (450 à 600°C) pendant des intervalles de temps de 15 à 60s. Le recuit thermique rapide conduit à une réaction à l'interface Cr / Si induisant la formation et la croissance du CrSi2 de l’unique siliciure, et aucune autre phase n’est détectée. Pour les échantillons implantés avec de l'arsenic la valeur de saturation de la résistance de carrée est plus élevée que pour le cas implantés des échantillons non implantée.
dc.identifier.uri	https://repository.univ-setif.dz/handle/123456789/3377
dc.language.iso	fr
dc.publisher	Université Sétif 1 - Ferhat ABBAS , Institut d'Optique et Mécanique de Précision
dc.subject	couches minces
dc.subject	chrome
dc.subject	silicium
dc.subject	siliciures de chrome
dc.subject	réactions à l’état solide. Recuit thermique rapide
dc.title	Contribution a l’etude du systeme binaire Cr/Si implante (As)
dc.type	Thesis

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