Effet des défauts intrinsèques dans les absorbeurs CIGS sur les performances des cellules solaires en couches minces

TASSOULT , Houda; BOULOUFA , Abdesselam Encadrant

Effet des défauts intrinsèques dans les absorbeurs CIGS sur les performances des cellules solaires en couches minces

dc.contributor.author	TASSOULT , Houda
dc.contributor.author	BOULOUFA , Abdesselam Encadrant
dc.date.accessioned	2026-07-16T08:50:48Z
dc.date.issued	2018
dc.description	Le développement récent des structures photovoltaïques est à l’origine de nombreuses études qui sont actuellement entreprises sur les cellules solaires en couches minces à base des composées chalcopyrites Cu(In,Ga)Se2 (CIGS). Le travail de recherche présenté dans ce manuscrit a été guidé par une idée principale: l’élaboration de composés CuGaxIn1-xSe2 (CIGS) en couches minces à partir d'un nouveau procédé de dépôt à faible coût et respectueux de l’environnement. Il est basé sur le principe de transport chimique en phase vapeur à courte distance dans un réacteur fermé (CSVT). Pour faire face à ce verrou, nous nous étions fixés dans ce travail de thèse deux objectifs principaux : le premier était de synthétiser un matériau CIGS de bonne qualité. Le second était de mettre en oeuvre un procédé de dépôt original et simple pouvant relever le défi d'élaborer des couches minces de CIGS dépourvues de phases secondaires et répondant efficacement aux critères de la conversion photovoltaïque. La caractérisation du matériau absorbeur par des mesures structurales (MEB, EDS, RDX et spectroscopie Raman) et des mesures optiques ont révélé plusieurs niveaux de défauts discrets présents dans le matériau
dc.description.abstract	The recent development of photovoltaic structures is at the origin of numerous studies currently being undertaken on thin film solar cells based on Cu (In,Ga)Se2 (CIGS) chalcopyrite compounds. The research work presented in this manuscript was guided by a main idea: the elaboration of CuGaxIn1-xSe2 (CIGS) thin-film compounds from a new environmentally friendly and low-cost deposition process. It is based on the principle of close-spaced chemical vapor transport in a closed reactor (CSVT). To face this problem, this thesis focused on two objectives: The first was to synthesize a good quality CIGS material. The second was to implement an original and simple deposition process that could meet the challenge of developing thin layers of CIGS without secondary phases and effectively meeting the criteria of photovoltaic conversion. The characterization of the absorber material by structural measurements (MEB, EDS, RDX and Raman spectroscopy) and optical measurements has revealed several levels of discrete defects present in the material
dc.description.sponsorship	التطور الأخير للهياكل الضوئية هو أصل العديد من الدراسات التي تجري حاليا على الخلايا الشمسية ذات الأغشية الرقيقة تم توجيه العمل البحثي المقدم في هذه المخطوطة بفكرة .Cu(In,Ga)Se2 (CIGS) القائمة على مركبات كالكوبايرايتبواسطة تقنية جديدة غير مكلفة ومحافظة للبيئة. CuGaxIn1-xSe2 (CIGS) رئيسية هي: تشكيل مركبات الأغشية الرقيقة لمواجهة هذا التحدي، ركزنا في .)CSVT( تعتمد هذه التقنية على مبدأ نقل البخار الكيميائي قصير المدى في مفاع ل مغلق غير مكلفة. والثاني هو تنفيذ عملية ترسيب CIGS هذا العمل من أطروحة على هدفين رئيسيين. الأول هو تجميع مادة بدون مراحل ثانوية وتحقيق معايير التحويل CIGS أصلي وبسيط يمكن أن تفي بتحدي تطوير طبقات رقيقة من والقياسات البصرية عدة )Raman و RDX ،EDS ( الكهروضوئي. أظهر تشخيص مادة الامتصاص بالقياسات الهيكلية مستويات من العيوب المنفصلة الموجودة في المادة
dc.identifier.uri	https://repository.univ-setif.dz/handle/123456789/2281
dc.language.iso	fr
dc.publisher	Université Sétif 1 - Ferhat ABBAS , Faculté de Technologie
dc.subject	Cellule solaire
dc.subject	couches minces
dc.subject	Cu(In
dc.subject	Ga)Se2
dc.subject	CSVT
dc.subject	photoluminescence
dc.subject	spectroscopie Raman
dc.subject	DRX.
dc.title	Effet des défauts intrinsèques dans les absorbeurs CIGS sur les performances des cellules solaires en couches minces
dc.type	Thesis

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