Etude de l’amélioration des propriétés de matériaux semi-conducteurs pour des applications comme cellules photovoltaïques
| dc.contributor.author | BECHANE , Leila | |
| dc.contributor.author | LOUCIF , Kamel Encadrant | |
| dc.contributor.author | BOUZID , Abderrazak Co-Encadrant | |
| dc.date.accessioned | 2026-07-13T10:24:20Z | |
| dc.date.issued | 2022 | |
| dc.description | Les performances d'une cellule solaire dépendent des propriétés des matériaux qui les composent. Nos travaux sont basés sur la simulation des performances de deux cellules solaires en couche mince : l’une à simple jonction à base de silicium amorphe hydrogéné (a-Si: H) et l’autre à hétérojonctions (CdS/CdTe). Comme outil de calcul, nous avons utilisé le code AMPS-1D, développé par le professeur Fonash. Les résultats de simulation, pour la cellule de silicium amorphe ont montré que, pour la couche active, la meilleure valeur de l'épaisseur de 300 nm-600nm. En plus, nos résultats de simulation ont montré que les meilleures valeurs de la densité des états (DOS), qui conduisent à des paramètres de sortie de la cellule sont compris entre 5.1015cm-3 et 1016cm-3. Et l’énergie de gap est Eg(i)=1.82eV et le rendement η =12.655% pour un epaisseur de la couche absorbante E=600nm. En suite nous avons étudié la cellule à hétérojonction (CdS/CdTe). La simulation, a montré que, la meilleure valeur de l'épaisseur pour la couche absorbante (CdTe) est de 1000nm et pour la couche tambon (CdS) est entre 20 et 60nm, et le rendement est: η =25.028%. En fin , on conclus que la cellule solaire p-i-n à base de silicium amorphe absorbe les courtes longueurs d’onde du visible (400nm à 700nm) alors que la cellule (CdTe) absorbe un plus large spectre qui s’étend jusqu’aux grandes longueurs d’onde du rouge et proche de l’infrarouge (300nm à 840nm). | |
| dc.description.abstract | The performance of a solar cell depends on the properties of the materials it is made of. Our work is based on the performance simulation of two thin-film solar cells: one single junction based on hydrogenated amorphous silicon (a-Si: H) and the other hetero-junction (CdS/CdTe). As a calculation tool, we used the code AMPS-1D, developed by Professor Fonash.The simulation results, for the amorphous silicon cell showed that, for the active layer, the best value of the thickness of 300nm-600nm. In addition, our simulation results have shown that the best values of the density of states (DOS), which lead to cell output parameters, are between 5.1015cm-3 and 1016cm-3. And the gap energy is Eg (i) = 1.82eV. And the efficiency and the efficiency η = 12.655% for a thickness of the absorbent layer E = 600nm.We then studied the (CdS/CdTe) hetero-junction cell. The simulation, showed that, the best value of the thickness for the absorbent (CdTe ) layer is 1000nm and for the tampon (CdS) layer is between 20 and 60nm, and the efficiency is: η = 25.028%.Finally, we conclude that the pin solar cell based on amorphous silicon absorbs the short wavelengths of the visible (400nm to 700nm) while the (CdTe ) cell absorbs a wider spectrum which extends to the longest wavelengths of the visible. Wave of red and close to infrared (300nm to 840nm). | |
| dc.identifier.uri | https://repository.univ-setif.dz/handle/123456789/2152 | |
| dc.language.iso | fr | |
| dc.publisher | Université Sétif 1 - Ferhat ABBAS , Institut d'Optique et Mécanique de Précision | |
| dc.title | Etude de l’amélioration des propriétés de matériaux semi-conducteurs pour des applications comme cellules photovoltaïques | |
| dc.type | Thesis |
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