Modelisation des transistors FET appliqueé aux dispositifs radiofrequences en utilisant l’approche neuronale

dc.contributor.author	KORIKER , Mustapha
dc.contributor.author	BARTIL , A. Encadrant
dc.date.accessioned	2026-09-29T13:02:42Z
dc.date.issued	2013
dc.description.abstract	The main theme of this work is the modeling of power MOSFETs in the neural approach. The aim is to model the drain current, which represents the largest non-linearity of the transistor. The neural model is developed based on the multilayer perceptron, trained by the spread of retro gradient with momentum and gave good results in comparison with the theoretical model.
dc.description.sponsorship	Le thème essentiel de ce travail est la modélisation des transistors MOSFET de puissance par l’approche neuronale. Le but recherché est la modélisation du courant de drain qui représente le non linéarité la plus importante du transistor. Le modèle neuronale élaboré est basé sur le perceptron multicouche, entrainé par la retro propagation du gradient avec momentum et a donné de bons résultats en comparaison au modèle théorique.
dc.identifier.uri	https://repository.univ-setif.dz/handle/123456789/3048
dc.language.iso	fr
dc.publisher	Université Sétif 1 - Ferhat ABBAS , Faculté de Technologie
dc.subject	réseaux de neurones
dc.subject	modélisation
dc.subject	simulation
dc.subject	algorithme de la retro propagation
dc.subject	perceptron multicouche
dc.title	Modelisation des transistors FET appliqueé aux dispositifs radiofrequences en utilisant l’approche neuronale
dc.type	Thesis

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Name:: ETH 1016 Modelisation des transistors FET appliqueé aux dispositifs radiofrequences en utilisant l’approche neuronale KORIKER , Mustapha.pdf
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