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Elaboration and Physical Characterization of CoxCr100-x Thin Films
| dc.contributor.author | BOUNAR , Nour El Houda | |
| dc.contributor.author | MELLOUL , Ahlem Encadrante | |
| dc.date.accessioned | 2026-10-29T10:29:40Z | |
| dc.date.issued | 2026 | |
| dc.description.abstract | In this work, we have studied the electrical and structural properties of CoxCr100-x thin films thermally evaporated onto Si(111) substrates. The atomic compositions evaluated from X-Ray Fluorescence (XRF) analysis are found to range from 12.2 to 15.0 at.% for Chromium. The film thickness varies between 559.1 nm and 706.3 nm. The structural properties have been determined by the X-ray diffractometry technique (XRD). X-Ray diffraction spectra present (111), (200), and (220) Bragg peaks for all the samples deposited onto Si(111). The preferential orientation for all samples is <200> with an FCC-phase. The lattice parameter and the compressive microstrain decrease slightly with the atomic composition. The root mean square roughness (Rms) varies between 267 and 453 nm. The electrical properties have been analysed by means of a four-point probe apparatus. The electrical resistivity increases with the chromium content. The resistivity, Rms, and grain size evolutions are studied versus chromium content, and they have been found to present a strong correlation. The resistivity values vary between 0.246 and 0.297 Ω·cm for the CoxCr100-x /Si(111) thin films. The films exhibit a nanocrystalline structure, and their microstructural evolution is perfectly described by Zone 1 of the Thornton model. | |
| dc.description.sponsorship | Dans ce travail de mémoire, nous avons étudié les propriétés électriques et structurales des couches minces CoxCr100-x, déposées par évaporation thermique sous vide, sur Si(111). La composition chimique des éléments a été identifiée par la technique de la spectroscopie de fluorescence des rayons X (XRF). Les valeurs de la concentration atomique du chrome sont confinées entre 12,2 et 15,0 %. Les épaisseurs des films varient entre 559,1 et 706,3 nm. Les analyses structurales montrent une orientation préférentielle <200> avec une phase CFC, pour tous les échantillons. Le paramètre de maille et la microdéformation diminuent légèrement avec la composition chimique. La morphologie et la topographie des surfaces réalisées par AFM montrent des images surfaciques rugueuses. La rugosité des surfaces varie entre 267 et 453 nm. L’analyse électrique a été réalisée à l’aide de la méthode des quatre pointes. La résistivité électrique augmente avec la composition chimique. L’évolution de la résistivité avec la composition chimique, la rugosité des surfaces et la taille des grains, a été étudiée. Les valeurs de la résistivité varient entre 0,246 et 0,297 Ω·cm pour les échantillons CoxCr100-x /Si(111). Les films présentent une structure nanocristalline et leur comportement est bien décrit par le modèle des zones de Thornton (Zone 1). | |
| dc.identifier.other | MAPH/0718 | |
| dc.identifier.uri | https://repository.univ-setif.dz/handle/123456789/3740 | |
| dc.language.iso | en | |
| dc.publisher | Setif 1 Unuversity Ferhat Abbas . Faculty of Sciences | |
| dc.subject | CoCr | |
| dc.subject | thin films | |
| dc.subject | XRD | |
| dc.subject | Electrical resistivity | |
| dc.subject | Thornton model | |
| dc.title | Elaboration and Physical Characterization of CoxCr100-x Thin Films | |
| dc.type | Article |