Propriétés structurales, élastiques et dynamiques des semiconducteurs IV-IV

dc.contributor.authorLANGUEUR , Hassina
dc.contributor.authorKASSALI , K. Encadrant
dc.date.accessioned2026-10-05T12:28:44Z
dc.date.issued2014
dc.description.abstractThe work of this thesis has been the subject of a theoretical study on the SiX (X= C, Ge) semiconductor compounds with a zincblende structure, and their binary alloys. Using ABINIT program, all these studies are based on LDA (the local density approximation) associated with the DFT (the density functional theory). The structural (lattice constant, bulk modulus), mechanical (elastic constant, Zener anisotropy factor, Young’s modulus, isotropic shear modulus, and Poisson’s ratio, sound velocities), vibrational properties (phonon dispersion curves and their frquencies), thermodynamical (Debye temperature, internal energy, free energy, entropy and specific heat) of the SiX (X= C, Ge) semiconductor compounds, and their binary alloys are studied using the virtual crystal approximation (VCA) and the supercell approximations.
dc.description.sponsorshipLe travail de cette thèse a pour objectif une étude théorique des composées semiconducteurs SiX ( X= C, Ge) du type IV-IV, cristallisant dans la phase zinc-blende, ainsi que leurs alliages binaires. En utilisant le programme ABINIT, l'ensemble de ces études est basé sur la LDA (l'approximation de la densité locale) associée à la DFT (la théorie de la fonctionnelle de densité). Les propriétés structurales (Le paramètre de maille, le module de rigidité et sa dérivée), mécaniques (constantes élastiques, module de cisaillement, le coefficient de Zener, le coefficient de Poisson, et le module de Young), vibrationnelles (Le spectre des phonons et leurs fréquences le long des différentes lignes de symétrie G, X, et L), et thermodynamiques (température de Debye, l’énergie libre, l’énergie interne, l’entropie, et la capacité thermique) des composées semiconducteurs SiX ( X= C, Ge) du type IV-IV, ainsi que leurs alliages binaires ont été calculées en utilisant la méthode VCA (virtual crystal approximation) et celle de la supercellule SC.
dc.identifier.urihttps://repository.univ-setif.dz/handle/123456789/3226
dc.language.isofr
dc.publisherUniversité Sétif 1 - Ferhat ABBAS , Faculté des Sciences
dc.subjectAlliages
dc.subjectles composées SiGe
dc.subjectDFT
dc.subjectDFPT
dc.subjectconstantes élastiques
dc.subjectthermodybamiques
dc.subjectphonon
dc.titlePropriétés structurales, élastiques et dynamiques des semiconducteurs IV-IV
dc.typeThesis

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