Elaboration And Characterization Of Semiconductor Thin Films Based On Zinc Oxide (ZnO)

dc.contributor.authorBOUHALASSA , Omayma
dc.contributor.authorBOUDERBALA , IBRAHIM YAACOUB Supervisor
dc.date.accessioned2026-07-12T08:56:17Z
dc.date.issued2023
dc.descriptionفي هذا العمل، طورنا طبقات ZnOرقيقة باستخدام طريقة ) Sol-Gelطلاء غمس) التي تم تطويرها خلال هذه الدراسة. تم إجراء التوصيف الهيكلي للطبقات الرقيقة عن طريق حيود الأشعة السينية ( ،)XRDوتم إجراء التوصيف المورفولوجي عن طريق مسح المجهر الإلكتروني ( )SEMومجهر القوة الذرية ( .)AFMتم إجراء التوصيف البصري عن طريق الأشعة فوق البنفسجية المرئية. أكدت XRDالحالة البلورية لطبقاتنا الرقيقة وتكوين .ZnOأظهر توصيف SEMو AFMالحالة التفصيلية لسطح الفيلم. أخي ًرا، سمح لنا قياس الطيف الطيفي -UV Vis-NIRبقياس انتقال الأغشية الرقيقة من .
dc.description.abstractIn this work we developed thin layers of ZnO by the Sol-Gel method (Dip-Coating) achieved during this study. The structural characterization of the thin films was performed by X-ray diffraction (XRD), Morphological characterization was performed by scanning electronic microscopy (SEM) and atomic Force Microscope (AFM). Optical characterization was performed by visible UV radiation. XRD made it possible to confirm the crystal state of our thin films as well as the composition of the ZnO. Show both characterization by SEM and AFM detailed filming surface condition. Finally, UVVis-NIR spectrophotometry allowed us to measure the transmission of thin films based on ZnO
dc.description.sponsorshipDans ce travail, nous avons développé des couches minces de ZnO par la méthode Sol-Gel (Dip-Coating) réalisée au cours de cette étude. La caractérisation structurale des couches minces a été effectuée par diffraction des rayons X (XRD), la caractérisation morphologique a été effectuée par microscopie électronique à balayage (MEB) et microscope à force atomique (AFM). La caractérisation optique a été effectuée par rayonnement UV visible. XRD a permis de confirmer l’état cristallin de nos couches minces ainsi que la composition du ZnO. Montrer la caractérisation par SEM et AFM l’état détaillé de la surface de reprographie. Enfin, la spectrophotométrie UV-Vis-NIR nous a permis de mesurer la transmission de films minces à partir de ZnO
dc.identifier.urihttps://repository.univ-setif.dz/handle/123456789/2014
dc.language.isoen
dc.publisherSetif 1 University Ferhat Abbas . Institute Of Optics and Precision Mechanics
dc.relation.ispartofseriesMS/849
dc.subjectZnO
dc.subjectSol-Gel
dc.subjectthin film
dc.subjectDip-Coating
dc.titleElaboration And Characterization Of Semiconductor Thin Films Based On Zinc Oxide (ZnO)
dc.typeThesis

Files

Original bundle

Now showing 1 - 1 of 1
Loading...
Thumbnail Image
Name:
MS 849.pdf
Size:
653.01 KB
Format:
Adobe Portable Document Format

License bundle

Now showing 1 - 1 of 1
Loading...
Thumbnail Image
Name:
license.txt
Size:
1.71 KB
Format:
Item-specific license agreed to upon submission
Description: