Elaboration And Characterization Of Semiconductor Thin Films Based On Zinc Oxide (ZnO)
Loading...
Files
Date
Journal Title
Journal ISSN
Volume Title
Publisher
Setif 1 University Ferhat Abbas . Institute Of Optics and Precision Mechanics
Abstract
In this work we developed thin layers of ZnO by the Sol-Gel method (Dip-Coating)
achieved during this study. The structural characterization of the thin films was
performed by X-ray diffraction (XRD), Morphological characterization was performed
by scanning electronic microscopy (SEM) and atomic Force Microscope (AFM).
Optical characterization was performed by visible UV radiation. XRD made it possible
to confirm the crystal state of our thin films as well as the composition of the ZnO. Show
both characterization by SEM and AFM detailed filming surface condition. Finally, UVVis-NIR spectrophotometry allowed us to measure the transmission of thin films based
on ZnO
Description
في هذا العمل، طورنا طبقات ZnOرقيقة باستخدام طريقة ) Sol-Gelطلاء غمس) التي تم تطويرها خلال هذه الدراسة. تم إجراء التوصيف الهيكلي للطبقات الرقيقة عن طريق حيود الأشعة السينية ( ،)XRDوتم إجراء التوصيف المورفولوجي عن طريق مسح المجهر الإلكتروني ( )SEMومجهر القوة الذرية ( .)AFMتم إجراء التوصيف البصري عن طريق الأشعة فوق البنفسجية المرئية. أكدت XRDالحالة البلورية لطبقاتنا الرقيقة وتكوين .ZnOأظهر توصيف SEMو AFMالحالة التفصيلية لسطح الفيلم. أخي ًرا، سمح لنا قياس الطيف الطيفي -UV Vis-NIRبقياس انتقال الأغشية الرقيقة من .
