Elaboration And Characterization Of Semiconductor Thin Films Based On Zinc Oxide (ZnO)

Loading...
Thumbnail Image

Date

Journal Title

Journal ISSN

Volume Title

Publisher

Setif 1 University Ferhat Abbas . Institute Of Optics and Precision Mechanics

Abstract

In this work we developed thin layers of ZnO by the Sol-Gel method (Dip-Coating) achieved during this study. The structural characterization of the thin films was performed by X-ray diffraction (XRD), Morphological characterization was performed by scanning electronic microscopy (SEM) and atomic Force Microscope (AFM). Optical characterization was performed by visible UV radiation. XRD made it possible to confirm the crystal state of our thin films as well as the composition of the ZnO. Show both characterization by SEM and AFM detailed filming surface condition. Finally, UVVis-NIR spectrophotometry allowed us to measure the transmission of thin films based on ZnO

Description

في هذا العمل، طورنا طبقات ZnOرقيقة باستخدام طريقة ) Sol-Gelطلاء غمس) التي تم تطويرها خلال هذه الدراسة. تم إجراء التوصيف الهيكلي للطبقات الرقيقة عن طريق حيود الأشعة السينية ( ،)XRDوتم إجراء التوصيف المورفولوجي عن طريق مسح المجهر الإلكتروني ( )SEMومجهر القوة الذرية ( .)AFMتم إجراء التوصيف البصري عن طريق الأشعة فوق البنفسجية المرئية. أكدت XRDالحالة البلورية لطبقاتنا الرقيقة وتكوين .ZnOأظهر توصيف SEMو AFMالحالة التفصيلية لسطح الفيلم. أخي ًرا، سمح لنا قياس الطيف الطيفي -UV Vis-NIRبقياس انتقال الأغشية الرقيقة من .

Citation

Endorsement

Review

Supplemented By

Referenced By